എൽഇഡി പ്രവർത്തിക്കുമ്പോൾ, താഴെപ്പറയുന്ന വ്യവസ്ഥകൾ ജംഗ്ഷൻ താപനില വ്യത്യസ്ത ഡിഗ്രികളിലേക്ക് ഉയർത്താം.

1, തിളങ്ങുന്ന കാര്യക്ഷമതയുടെ പരിമിതിയാണ് ഉയർച്ചയ്ക്ക് പ്രധാന കാരണം എന്ന് തെളിയിക്കപ്പെട്ടിട്ടുണ്ട്.എൽഇഡി ജംഗ്ഷൻതാപനില. നിലവിൽ, വിപുലമായ മെറ്റീരിയൽ വളർച്ചയ്ക്കും ഘടക നിർമ്മാണ പ്രക്രിയകൾക്കും ഇൻപുട്ട് വൈദ്യുതോർജ്ജത്തിൻ്റെ ഭൂരിഭാഗവും പരിവർത്തനം ചെയ്യാൻ കഴിയുംവെളിച്ചത്തിലേക്ക് LEDറേഡിയേഷൻ ഊർജ്ജം. എന്നിരുന്നാലും, LED ചിപ്പ് മെറ്റീരിയലുകൾക്ക് ചുറ്റുമുള്ള മീഡിയയേക്കാൾ വലിയ റിഫ്രാക്റ്റീവ് ഗുണകങ്ങൾ ഉള്ളതിനാൽ, ചിപ്പിനുള്ളിൽ സൃഷ്ടിക്കപ്പെടുന്ന ഫോട്ടോണുകളുടെ (> 90%) വലിയൊരു ഭാഗം ഇൻ്റർഫേസിനെ സുഗമമായി കവിയാൻ കഴിയില്ല, കൂടാതെ ചിപ്പിനും മീഡിയ ഇൻ്റർഫേസിനും ഇടയിൽ മൊത്തം പ്രതിഫലനം സൃഷ്ടിക്കപ്പെടുന്നു. ചിപ്പിൻ്റെ ഉള്ളിലേക്ക് മടങ്ങുകയും അവസാനം ഒന്നിലധികം ആന്തരിക പ്രതിഫലനങ്ങളിലൂടെ ചിപ്പ് മെറ്റീരിയലോ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റോ ആഗിരണം ചെയ്യുകയും ലാറ്റിസ് വൈബ്രേഷൻ്റെ രൂപത്തിൽ ചൂടാകുകയും ജംഗ്ഷൻ താപനില ഉയരാൻ പ്രോത്സാഹിപ്പിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു.

2, PN ജംഗ്ഷൻ അങ്ങേയറ്റം തികവുറ്റതാകാൻ കഴിയാത്തതിനാൽ, മൂലകത്തിൻ്റെ കുത്തിവയ്പ്പ് കാര്യക്ഷമത 100% എത്തില്ല, അതായത്, P ഏരിയയിലെ N ഏരിയയിലേക്ക് കുത്തിവച്ച ചാർജിന് (ദ്വാരം) പുറമേ, N ഏരിയയും കുത്തിവയ്ക്കും. LED പ്രവർത്തിക്കുമ്പോൾ പി ഏരിയയിലേക്ക് ചാർജ് ചെയ്യുക (ഇലക്ട്രോൺ). സാധാരണയായി, പിന്നീടുള്ള തരം ചാർജ് കുത്തിവയ്പ്പ് ഒപ്റ്റോഇലക്ട്രിക് പ്രഭാവം ഉണ്ടാക്കില്ല, പക്ഷേ ചൂടാക്കൽ രൂപത്തിൽ ഉപഭോഗം ചെയ്യും. കുത്തിവച്ച ചാർജിൻ്റെ ഉപയോഗപ്രദമായ ഭാഗം എല്ലാം പ്രകാശമായി മാറിയില്ലെങ്കിലും, ജംഗ്ഷൻ ഏരിയയിലെ മാലിന്യങ്ങളോ തകരാറുകളോ കൂടിച്ചേർന്നാൽ ചിലത് ഒടുവിൽ ചൂടായി മാറും.

3, മൂലകത്തിൻ്റെ മോശം ഇലക്ട്രോഡ് ഘടന, വിൻഡോ ലെയർ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് അല്ലെങ്കിൽ ജംഗ്ഷൻ ഏരിയയുടെ മെറ്റീരിയലുകൾ, ചാലക വെള്ളി പശ എന്നിവയ്‌ക്കെല്ലാം ചില പ്രതിരോധ മൂല്യങ്ങളുണ്ട്. സീരീസ് പ്രതിരോധം രൂപപ്പെടുത്തുന്നതിന് ഈ പ്രതിരോധങ്ങൾ പരസ്പരം അടുക്കിയിരിക്കുന്നുLED ഘടകം. പിഎൻ ജംഗ്ഷനിലൂടെ കറൻ്റ് പ്രവഹിക്കുമ്പോൾ, അത് ഈ റെസിസ്റ്ററുകളിലൂടെയും ഒഴുകും, ഇത് ജൂൾ ഹീറ്റിലേക്ക് നയിക്കും, ഇത് ചിപ്പ് താപനിലയോ ജംഗ്ഷൻ താപനിലയോ വർദ്ധിക്കുന്നതിലേക്ക് നയിക്കും.